Infineon IGBT de conducción inversa, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6645
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,776 € | 53,28 € |
| 60 - 120 | 1,687 € | 50,61 € |
| 150 - 270 | 1,616 € | 48,48 € |
| 300 - 570 | 1,545 € | 46,35 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6645
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT de conducción inversa | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 282W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT de conducción inversa | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 282W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Serie Resonant Switching | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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