Infineon IGBT de conducción inversa, Tipo N-Canal, 65 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
225-0571
Referência do fabricante:
IHW30N65R6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT de conducción inversa

Corriente continua máxima de colector Ic

65A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

IHW30N65R6

Anchura

16.3 mm

Altura

5.3mm

Longitud

41.9mm

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Estándar de automoción

No

El Infineon IHW30N65R6 es el IGBT de 650 V, 30 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.

Alta resistencia y comportamiento de temperatura estable

EMI bajo

Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS

Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa

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