Referência do fabricante

IGBT, IHW40N65R6XKSA1, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

Código RS:: 225-0574
Referência do fabricante:: IHW40N65R6XKSA1
Fabricante:: Infineon

IGBT, IHW40N65R6XKSA1, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

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50 - 120	2,408 €	12,04 €
125 - 245	2,238 €	11,19 €
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Código RS:: 225-0574
Referência do fabricante:: IHW40N65R6XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tensión Máxima Colector-Emisor	650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Disipación de Potencia Máxima	210 W
	Tipo de Encapsulado	PG-TO247-3
	Conteo de Pines	3

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	Marca Infineon
	Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Disipación de Potencia Máxima 210 W
	Tipo de Encapsulado PG-TO247-3
	Conteo de Pines 3

Datasheet-IHW40N65R6XKSA1

El Infineon IHW40N65R6 es el IGBT de 650 V, 40 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.

Rango de frecuencia: 20-75 kHz
EMI bajo
Distribución de parámetros muy ajustada
TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.

IGBT, IHW40N65R6XKSA1, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

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