MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18375 resultados para MOSFET

    onsemi
    N
    33 A
    250 V
    94 mΩ
    UniFET
    TO-220F
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    37 W
    -
    Simple
    4.9mm
    36,8 nC a 10 V
    10.36mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    P
    40 A
    30 V
    -
    -
    PG-TDSON-8
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    N
    33 A
    100 V
    44 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    130 W
    -
    Simple
    4.69mm
    71 nC @ 10 V
    10.54mm
    Si
    1
    +175 °C
    1,154 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
    Vishay
    N
    9 A
    200 V
    -
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    1,8 A
    800 V
    6,5 Ω
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    54 W
    -
    Simple
    4.7mm
    38 nC a 10 V
    10.41mm
    Si
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    2,5 A
    800 V
    3,5 Ω
    MDmesh K5, SuperMESH5
    TO-220
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    +30 V
    Mejora
    60 W
    -
    Simple
    4.6mm
    9,5 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    110 A
    55 V
    8 mΩ
    HEXFET
    TO-247AC
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    200 W
    -
    Simple
    5.3mm
    170 nC a 10 V
    15.9mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    P
    14 A
    100 V
    200 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    79 W
    -
    Simple
    4.69mm
    58 nC @ 10 V
    10.54mm
    Si
    1
    +175 °C
    Vishay
    N
    8 A
    500 V
    850 mΩ
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    125 W
    -
    Simple
    4.7mm
    38 nC @ 10 V
    10.41mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    83 A
    150 V
    15 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    330 W
    -
    Simple
    -
    72 nC a 10 V
    -
    Si
    1
    +175 °C
    STMicroelectronics
    N
    17 A
    500 V
    270 mΩ
    MDmesh, SuperMESH
    TO-247
    4.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    190 W
    -
    Simple
    5.15mm
    85 nC a 10 V
    15.75mm
    Si
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    12 A
    500 V
    350 mΩ
    MDmesh
    TO-220
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    160 W
    -
    Simple
    4.6mm
    28 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    0,471 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
    Vishay
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    14 A
    500 V
    400 mΩ
    -
    TO-247AC
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    190 W
    -
    Simple
    5.31mm
    64 nC a 10 V
    15.87mm
    Si
    1
    +150 °C
    Nexperia
    N
    76 A
    30 V
    7 mΩ
    -
    LFPAK, SOT-669
    2.15V
    Montaje superficial
    4
    1.3V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    51 W
    -
    Simple
    4.1mm
    22 nC a 10 V
    5mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    5,8 A
    25 V
    41 mΩ
    HEXFET
    SOT-23
    2.35V
    Montaje superficial
    3
    1.35V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    1,25 W
    -
    Simple
    1.4mm
    5,4 nC a 10 V
    3.04mm
    Si
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    5.8 A
    900 V
    2 Ω
    MDmesh, SuperMESH
    TO-220
    4.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    140000 mW
    -
    Simple
    4.6mm
    46,5 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    5 A
    150 V
    42 mΩ
    PowerTrench
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    150 W
    -
    Simple
    4.83mm
    30 nC a 10 V
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    42 A
    100 V
    36 mΩ
    HEXFET
    TO-247AC
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    160 W
    -
    Simple
    5.3mm
    110 nC a 10 V
    15.9mm
    Si
    1
    +175 °C
    DiodesZetex
    P
    3,3 A
    20 V
    200 mΩ
    -
    SOT-23
    0.9V
    Montaje superficial
    3
    -
    -8 V, +8 V
    Mejora
    1,4 W
    -
    Simple
    1.4mm
    10,2 nC a 4,5 V
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
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