MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 1.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
542-9535
Referência do fabricante:
IRFBE20PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRFBE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

54W

Tensión directa Vf

1.4V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.01mm

Longitud

10.41mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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