MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP260NPBF, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
542-9771
Referência do fabricante:
IRFP260NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

234nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

20.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.3 mm

Longitud

15.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 50 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IRFP260NPBF


Este MOSFET está destinado a aplicaciones de alta potencia y ofrece eficiencia y fiabilidad en diversos sistemas electrónicos. Con su diseño en modo de mejora y sus sólidas capacidades de manejo de corriente, desempeña un papel crucial en la optimización del rendimiento de los circuitos, al tiempo que gestiona eficazmente la disipación térmica.

Características y ventajas


• Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 50 A para un gran rendimiento

• Funciona eficazmente con una tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V

• El diseño del modo de mejora ofrece mayor control y versatilidad

• El bajo Rds(on) de 40mΩ reduce las pérdidas de energía

• Diseñado para montaje pasante, lo que facilita la instalación

Aplicaciones


• Se utiliza en circuitos de alimentación para gestionar corrientes elevadas

• Adecuado para automoción que requieren componentes electrónicos duraderos

• Aplicación en equipos industriales para un control eficaz de la potencia

• Habituales en los sistemas de energía renovable para mejorar la eficiencia

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?


La disipación de potencia puede alcanzar hasta 300 W, lo que garantiza un rendimiento eficiente en condiciones de carga elevada.

¿Cómo beneficia la baja Rds(on) a la eficiencia del circuito?


El bajo Rds(on) de 40mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia global y minimizando la generación de calor durante el funcionamiento.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este MOSFET en aplicaciones de potencia?


Este MOSFET proporciona una elevada corriente de drenaje continua y funciona eficazmente en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia.

¿Es fácil de instalar con otros componentes en un circuito?


El tipo de montaje con orificios pasantes simplifica la integración en diversos diseños de circuitos, permitiendo un montaje sencillo con los componentes existentes.

¿Cómo afecta el diseño del modo de mejora al rendimiento?


El diseño de modo de mejora garantiza que el dispositivo sólo conduce cuando se aplica suficiente tensión de puerta, lo que mejora la eficiencia de conmutación y reduce el flujo de corriente no deseado durante los periodos inactivos.

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