MOSFET, Tipo P-Canal onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 671-0328
Referência do fabricante:: BSS84
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 671-0328
Referência do fabricante:: BSS84
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	130mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	50V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	BSS84
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	10Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	250mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.9nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1mm
	Anchura	1.3 mm
	Longitud	3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 130mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V
	Encapsulado SOT-23
	Serie BSS84
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 250mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1mm
	Anchura 1.3 mm
	Longitud 3mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.