MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP320N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 823-5642
- Referência do fabricante:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 823-5642
- Referência do fabricante:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 15.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 15.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 34 A, disipación de potencia máxima de 136 W - IPP320N20N3GXKSA1
Este MOSFET ofrece un alto rendimiento para diversas aplicaciones electrónicas. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 34 A y una tensión nominal de drenaje-fuente de 200 V, constituye una solución de alimentación eficiente. El funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento fiable en circuitos que requieren conmutación y rectificación síncrona.
Características y ventajas
• Diseño de canal N para una conversión de potencia eficaz
• La baja resistencia a la conexión reduce la pérdida de energía
• Alta tolerancia a la temperatura de funcionamiento en condiciones extremas
• Compatible con aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
• Sin Pb y conforme a RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente
• Los materiales sin halógenos mejoran la seguridad y la conformidad
Aplicaciones
• Utilizado en fuentes de alimentación para automatización industrial
• Adecuado para la rectificación síncrona en convertidores CC-CC
• Aplicable en sistemas de carga de vehículos eléctricos
• Ideal para sistemas de gestión de baterías en electrónica de consumo
• Utilizado en inversores de energías renovables para una transferencia eficiente de energía
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento?
El componente funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversas condiciones ambientales.
¿Puede gestionar corrientes de drenaje elevadas?
Sí, admite corrientes de drenaje continuas de hasta 34 A, adecuadas para aplicaciones de alta potencia.
¿Qué ventajas ofrece la función RDS(on) baja?
La baja resistencia a la conexión reduce significativamente las pérdidas de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia en aplicaciones de conmutación de alta potencia.
¿Es adecuado para aplicaciones de automoción?
Gracias a su alta temperatura y baja resistencia a la conexión, es adecuado para aplicaciones de automoción, ya que ofrece rendimiento en condiciones difíciles.
¿Cómo puedo garantizar una disipación térmica adecuada durante la instalación?
Para lograr una gestión térmica eficaz, asegúrese de que el MOSFET está montado en un disipador de calor o en una placa de circuito impreso con suficiente superficie de cobre para ayudar a disipar el calor generado durante el funcionamiento.
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