Alliance Memory SDRAM AS4C512M8D3LC-12BIN, 4 GB, Orificio pasante, Bola FBGA-78 8 bit, 78 pines
- Código RS:
- 665-412
- Referência do fabricante:
- AS4C512M8D3LC-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 665-412
- Referência do fabricante:
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- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 4GB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 512M x 8 | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | Bola FBGA-78 | |
| Número de pines | 78 | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 4GB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 512M x 8 | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado Bola FBGA-78 | ||
Número de pines 78 | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona de memoria Alliance se basa en una arquitectura de velocidad de datos doble para lograr un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como ocho bancos. El chip de 4 Gb está organizado como 64 Mbit x 8 E/S en 8 bancos. Admite velocidades de transferencia de velocidad de datos doble de hasta 1.600 Mbps por contacto para aplicaciones generales. El diseño cumple con los estándares DDR3L, con todas las entradas de dirección y control sincronizadas a un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
Funcionamiento completamente síncrono
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
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