SDRAM AS4C64M16D3B-12BIN, 1Gigabyte, 800MHZ, Montaje en orificio pasante, FBGA de 78 bolas, 78 pines DDR3
- Código RS:
- 665-402
- Referência do fabricante:
- AS4C64M16D3B-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- 665-402
- Referência do fabricante:
- AS4C64M16D3B-12BIN
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 1Gigabyte | |
| Organización | 64 M x 16 | |
| Clase SDRAM | DDR3 | |
| Transmisión de Datos | 800MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA de 78 bolas | |
| Conteo de Pines | 78 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 1Gigabyte | ||
Organización 64 M x 16 | ||
Clase SDRAM DDR3 | ||
Transmisión de Datos 800MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado FBGA de 78 bolas | ||
Conteo de Pines 78 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona de memoria Alliance se basa en una arquitectura de velocidad de datos doble para lograr un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como ocho bancos. El chip de 1 Gb está organizado como 8 Mbit x 16 E/S en 8 bancos. Admite velocidades de transferencia de velocidad de datos doble de hasta 1.600 Mbps por contacto para aplicaciones generales. El diseño cumple con los estándares DDR3, con todas las entradas de dirección y control sincronizadas a un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
Funcionamiento completamente síncrono
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
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