SDRAM AS4C128M8D3B-12BIN, 1Gigabyte, 800MHZ, Montaje en orificio pasante, FBGA de 78 bolas, 78 pines DDR3
- Código RS:
- 665-399
- Referência do fabricante:
- AS4C128M8D3B-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- 665-399
- Referência do fabricante:
- AS4C128M8D3B-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 1Gigabyte | |
| Organización | 128M x 8 | |
| Clase SDRAM | DDR3 | |
| Transmisión de Datos | 800MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA de 78 bolas | |
| Conteo de Pines | 78 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 1Gigabyte | ||
Organización 128M x 8 | ||
Clase SDRAM DDR3 | ||
Transmisión de Datos 800MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 8bit | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado FBGA de 78 bolas | ||
Conteo de Pines 78 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona de Alliance Memory está construida sobre una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como ocho bancos. El chip de 1 Gb está organizado como 16 Mbit x 8 E/S en 8 bancos. Proporciona velocidades de transferencia de datos dobles de hasta 1600 Mb/s por contacto para aplicaciones generales. El diseño cumple los estándares de DRAM DDR3, con todas las entradas de control y dirección sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
Funcionamiento completamente síncrono
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
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