Alliance Memory SDRAM AS4C64M8D3-12BIN, 512 MB, Superficie, FBGA 8 bit, 78 pines
- Código RS:
- 665-382
- Referência do fabricante:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Indisponível
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- Código RS:
- 665-382
- Referência do fabricante:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Organización | 64M x 8 | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHz | |
| Número de palabras | 64 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 78 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.575V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.425V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Organización 64M x 8 | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHz | ||
Número de palabras 64 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado FBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 78 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Longitud 10.5mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Tensión de alimentación máxima 1.575V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.425V | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM DDR3 de 512 Mb de Alliance Memory en un encapsulado FBGA de 78 bolas dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble para un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como DRAM de ocho bancos. Está organizado como 8 bancos de E/S x8 de 8 Mbit y admite velocidades de transferencia de datos de velocidad doble de hasta 1.600 Mbps por contacto, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de uso general. El dispositivo cumple con todas las especificaciones DRAM DDR3 clave, con entradas de dirección y control sincronizadas usando un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
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