MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 920-6557
- Referência do fabricante:
- STS4DNF60L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 907,50 €
Adicione 2500 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 10.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,763 € | 1 907,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 920-6557
- Referência do fabricante:
- STS4DNF60L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 1.25mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie STripFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 1.25mm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
