MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 485-8358
Referência do fabricante:: STS4DNF60L
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 485-8358
Referência do fabricante:: STS4DNF60L
Fabricante:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	STripFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	55 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-15 V, +15 V
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.25mm

MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics