MOSFET de potencia onsemi, N-Canal NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 780-0674
- Referência do fabricante:
- NTMD4N03R2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 780-0674
- Referência do fabricante:
- NTMD4N03R2G
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensión directa Vf | 820mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensión directa Vf 820mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
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