MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2448
- Referência do fabricante:
- FDS8984
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
475,00 €
Adicione 2500 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 12 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,19 € | 475,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 166-2448
- Referência do fabricante:
- FDS8984
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado