MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 4.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 922-8027
- Referência do fabricante:
- ZXMP6A18DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 922-8027
- Referência do fabricante:
- ZXMP6A18DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -0.85V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -0.85V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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