MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-5028
- Referência do fabricante:
- IRFP9140NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 125 - 225 | 1,646 € | 41,15 € |
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- Código RS:
- 919-5028
- Referência do fabricante:
- IRFP9140NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 117mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 97nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 117mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 97nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 23 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRFP9140NPBF
Este MOSFET de alta potencia está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones. Es ideal para la electrónica de potencia, ya que combina una alta capacidad de corriente de drenaje continua con una baja resistencia, lo que facilita un control fiable y preciso en sistemas eléctricos y de automatización en múltiples entornos operativos.
Características y ventajas
• La configuración P-Channel permite diseños de circuitos flexibles
• Corriente de drenaje continua máxima de 23 A
• la tensión de drenaje de 100 V aumenta la seguridad
• El bajo RDS(on) de 117mΩ reduce la pérdida de potencia
• Adecuado para aplicaciones en modo de mejora que garantizan un rendimiento estable
Aplicaciones
• Utilizado en el control motor para mejorar la eficacia
• Ideal para sistemas de gestión de la energía que requieren alta fiabilidad
• Común en los circuitos de alimentación para un funcionamiento robusto
• Utilizados en reguladores de conmutación para una conversión de potencia eficaz
• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren una conmutación fiable
¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima del dispositivo?
Tiene una tensión umbral de puerta máxima de 4 V, adecuada para diversos diseños de circuitos.
¿Cómo afecta el valor RDS(on) al rendimiento?
El bajo valor RDS(on) de 117mΩ minimiza las pérdidas de energía, mejorando la eficiencia y la gestión térmica en las aplicaciones.
¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de este MOSFET?
Es apropiado tanto para circuitos lineales como de conmutación, lo que lo hace versátil para aplicaciones electrónicas variadas.
¿Cuál es la carga de puerta típica necesaria para el funcionamiento?
El MOSFET requiere una carga de puerta típica de 97nC a una tensión puerta-fuente de 10V para un rendimiento óptimo.
¿Qué implicaciones tiene la temperatura máxima de funcionamiento?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, este dispositivo es adecuado para entornos de altas temperaturas, lo que mejora su fiabilidad en condiciones difíciles.
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