MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 919-5028
Referência do fabricante:: IRFP9140NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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50 - 100	1,254 €	31,35 €
125 - 225	1,202 €	30,05 €
250 - 600	1,149 €	28,73 €
625 +	1,07 €	26,75 €

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Código RS:: 919-5028
Referência do fabricante:: IRFP9140NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	23A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	117mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	140W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	97nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	15.9mm
	Anchura	5.3 mm
	Altura	20.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 23A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 117mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 140W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 97nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 15.9mm
	Anchura 5.3 mm
	Altura 20.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 23 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRFP9140NPBF

Este MOSFET de alta potencia está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones. Es ideal para la electrónica de potencia, ya que combina una alta capacidad de corriente de drenaje continua con una baja resistencia, lo que facilita un control fiable y preciso en sistemas eléctricos y de automatización en múltiples entornos operativos.

Características y ventajas

• La configuración P-Channel permite diseños de circuitos flexibles

• Corriente de drenaje continua máxima de 23 A

• la tensión de drenaje de 100 V aumenta la seguridad

• El bajo RDS(on) de 117mΩ reduce la pérdida de potencia

• Adecuado para aplicaciones en modo de mejora que garantizan un rendimiento estable

Aplicaciones

• Utilizado en el control motor para mejorar la eficacia

• Ideal para sistemas de gestión de la energía que requieren alta fiabilidad

• Común en los circuitos de alimentación para un funcionamiento robusto

• Utilizados en reguladores de conmutación para una conversión de potencia eficaz

• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren una conmutación fiable

¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima del dispositivo?

Tiene una tensión umbral de puerta máxima de 4 V, adecuada para diversos diseños de circuitos.

¿Cómo afecta el valor RDS(on) al rendimiento?

El bajo valor RDS(on) de 117mΩ minimiza las pérdidas de energía, mejorando la eficiencia y la gestión térmica en las aplicaciones.

¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de este MOSFET?

Es apropiado tanto para circuitos lineales como de conmutación, lo que lo hace versátil para aplicaciones electrónicas variadas.

¿Cuál es la carga de puerta típica necesaria para el funcionamiento?

El MOSFET requiere una carga de puerta típica de 97nC a una tensión puerta-fuente de 10V para un rendimiento óptimo.

¿Qué implicaciones tiene la temperatura máxima de funcionamiento?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, este dispositivo es adecuado para entornos de altas temperaturas, lo que mejora su fiabilidad en condiciones difíciles.