MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPW65R060CFD7XKSA1, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0598
- Referência do fabricante:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
6,13 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,13 € |
| 10 - 24 | 5,82 € |
| 25 - 49 | 5,71 € |
| 50 - 99 | 5,33 € |
| 100 + | 4,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0598
- Referência do fabricante:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
CoolMOS CFD7 de 650 V de Infineon amplía la clase de tensión con la familia CFD7 y es la sucesora de CoolMOS CFD2 de 650 V. Es el resultado de un rendimiento de conmutación mejorado y un excelente comportamiento térmico. Ofrece la máxima eficiencia en topologías de conmutación resonante, como LLC y puente completo con cambio de fase (ZVS). Como parte de la cartera de diodos de cuerpo rápido de Infineon, esta nueva serie de productos combina todas las ventajas de una tecnología de conmutación rápida junto con una robustez de conmutación dura superior. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y fiabilidad y, además, admite soluciones de alta densidad de potencia.
Excelente resistencia de conmutación dura
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Eficiencia de carga ligera excepcional en aplicaciones SMPS industriales
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFP9140NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 160 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 200 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 172 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-247 de 3 pines