MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 913-4705
Referência do fabricante:: IRLML5203TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 913-4705
Referência do fabricante:: IRLML5203TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	165mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.25W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	9.5nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.02mm
	Anchura	1.4 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.25W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.02mm
	Anchura 1.4 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML5203TRPBF

Este MOSFET es un dispositivo de potencia de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en el sector de la electrónica. Con un encapsulado compacto SOT-23, este dispositivo de canal P proporciona una eficiencia significativa con una corriente de drenaje continua máxima de 3 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V. Con unas dimensiones de 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura, es idóneo para diseños con limitaciones de espacio.

Características y ventajas

• Capacidad de tensión de drenaje-fuente de 30 V para un uso versátil

• Diseñado para montaje en superficie para simplificar el diseño de la placa de circuito impreso

• Funciona a temperaturas comprendidas entre -55 °C y +150 °C

• Utiliza el modo de mejora para un rendimiento de conmutación fiable

Aplicaciones

• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para un rendimiento óptimo

• Se utiliza en electrónica portátil gracias a su diseño de bajo perfil

• Aplicado en soluciones de gestión de carga en varios dispositivos

• Adecuado para sistemas avanzados de control de automatización

¿Cuál es el significado de la baja Rds(on) en este dispositivo?

La baja Rds(on) garantiza una menor pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia global y mantiene niveles térmicos más bajos en las aplicaciones.

¿Cómo influye la capacidad de disipación de energía en el rendimiento del dispositivo?

La capacidad de disipar hasta 1,25 W permite una gestión eficaz del calor, lo que garantiza que el dispositivo funcione de forma fiable incluso en condiciones de carga máxima sin fallos térmicos.

¿Qué factores influyen en la selección de este MOSFET para una aplicación específica?

Deben tenerse en cuenta factores como la corriente de drenaje continua máxima, los valores nominales de tensión y las características térmicas para garantizar la compatibilidad con los requisitos del circuito y las expectativas de rendimiento.