MOSFET, N-Canal Vishay SQD40N06-14L-GE3, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
919-4255
Referência do fabricante:
SQD40N06-14L-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Anchura

6.22mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.