MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2851
- Referência do fabricante:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2851
- Referência do fabricante:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?
¿Cómo afecta el margen térmico a las opciones de diseño de PCB?
¿Es este dispositivo adecuado para sistemas de automoción?
¿Qué compensaciones de conmutación surgen de la cifra de carga de puerta?
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