MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 228-2851
Referência do fabricante:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 228-2851
Referência do fabricante:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	850V
	Serie	E
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.35Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	62.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	11nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V
	Serie E
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 62.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y amplificación en electrónica de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una capacidad de bloqueo robusta y un manejo de corriente continua moderado al tiempo que ocupa un espacio de montaje en superficie TO-252.

Características y ventajas:

• Valor nominal de drenaje-fuente de 850 V que permite la conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 1,35 Ω admite pérdidas de conducción controladas
• Corriente de drenaje continua de 4,4 A para un funcionamiento de carga constante
• Disipación máxima de 62,5 W para un rendimiento térmico óptimo
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Límite de fuente de puerta de 30 V que permite rangos de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para etapas de regulación de potencia en modo conmutado
• Puede utilizarse para circuitos de interfaz de línea de telecomunicaciones y servicios públicos
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie

¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puedo esperar para un funcionamiento fiable?

El dispositivo funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.

¿Cómo debo tener en cuenta el diseño de accionamiento de puerta con este componente?

Diseño para un Vgs máximo de 30 V y cuenta con la carga de puerta típica de 11 nC al dimensionar los controladores para cumplir los requisitos de velocidad de conmutación y corriente de accionamiento.

¿Qué consideraciones de embalaje y montaje se aplican al montaje?

Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie, por lo que se debe planificar un patrón de tierra y vias térmicas para gestionar la disipación de potencia.

¿Es adecuado para diseños con certificación de automoción?

No está especificado para cumplir los estándares de automoción, por lo que debe evaluarse frente a cualquier requisito específico del vehículo antes de su uso.