MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 200-6829
- Referência do fabricante:
- SIHD690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
24,85 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,994 € | 24,85 € |
| 50 - 100 | 0,943 € | 23,58 € |
| 125 - 225 | 0,918 € | 22,95 € |
| 250 - 600 | 0,894 € | 22,35 € |
| 625 + | 0,872 € | 21,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6829
- Referência do fabricante:
- SIHD690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SIHD690N60E-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R280PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 10.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines