MOSFET, N-Canal Vishay SUD23N06-31-GE3, VDSS 60 V, ID 23 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 636-5397
- Referência do fabricante:
- SUD23N06-31-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 636-5397
- Referência do fabricante:
- SUD23N06-31-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SUD23N06-31 de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 23 A - SUD23N06-31-GE3
Este MOSFET de mejora de canal n es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión moderada y una capacidad de corriente continua considerable. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 para facilitar el montaje en PCB y la interfaz térmica.
Características y ventajas:
• La resistencia drenaje-fuente de 60 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 23 A admite cargas de alta corriente
• La baja Rds(on) de 31 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 11 nC proporciona una conmutación más rápida con menor energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 31,25 W permite manejar cargas térmicas significativas
• La corriente de drenaje continua de 23 A admite cargas de alta corriente
• La baja Rds(on) de 31 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 11 nC proporciona una conmutación más rápida con menor energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 31,25 W permite manejar cargas térmicas significativas
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Ideal para la distribución de potencia en controladores de motor
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías y carril de alimentación
• Se puede utilizar para interruptores de alimentación de controlador LED
• Ideal para la distribución de potencia en controladores de motor
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías y carril de alimentación
• Se puede utilizar para interruptores de alimentación de controlador LED
¿Qué límites de tensión de puerta debo observar para un funcionamiento fiable?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 20 V, por lo que los controladores de puerta y las redes de polarización deben mantener Vgs dentro de ese umbral para evitar daños.
¿Cómo se comporta el dispositivo en temperaturas extremas?
Está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, adaptándose tanto a condiciones de arranque en frío como a temperaturas de unión elevadas en entornos exigentes.
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la manipulación térmica en la PCB?
El encapsulado TO-252 proporciona una ruta térmica a la placa
una zona de cobre adecuada y conductos térmicos debajo de la almohadilla de montaje mejorarán la disipación de calor y mantendrán la capacidad de potencia.
¿Qué configuración y número de contactos utiliza para la planificación del diseño?
Se trata de un dispositivo de tres contactos, que simplifica el diseño de tamaño al tiempo que admite conexiones de alimentación directa y puerta para diseños compactos.
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