MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 210-4978
Referência do fabricante:: SIHD11N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 271,00 €

Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
3000 +	0,757 €	2 271,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 210-4978
Referência do fabricante:: SIHD11N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	800V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	391mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	78W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	28nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	2.2mm
	Longitud	9.4mm
	Anchura	6.4mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V
	Encapsulado TO-252
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 391mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 78W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 2.2mm
	Longitud 9.4mm
	Anchura 6.4mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, disipación de potencia de 78 W - SIHD11N80AE-GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en un rango de temperatura muy amplio y está diseñado para entornos exigentes donde se requiere un manejo de alta tensión de drenaje y capacidad de corriente moderada, al tiempo que cumple las restricciones RoHS.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite topologías de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite circuitos de potencia moderados
• La Rds(on) de 391 mΩ reduce las pérdidas de conducción a la corriente nominal
• La disipación de potencia máxima de 78 W permite un manejo térmico considerable
• La carga de puerta típica de 28 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• El umbral de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para etapas de convertidor de medio puente y impulso
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor industriales
• Se puede utilizar para cargador fuera de línea y control de iluminación
• Adecuado para módulos de telecomunicaciones y distribución de potencia

¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?

Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie para facilitar el acoplamiento térmico al cobre de la placa de circuito impreso.

¿Qué rango térmico puede soportar durante el funcionamiento?

Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura extremas.

¿Cómo afecta la tensión directa a los cálculos de pérdida de potencia?

Se debe incluir una tensión directa de 1,2 V al estimar las pérdidas de conducción y conmutación en intervalos de conducción de diodos y disposiciones síncronas.

¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?

La tensión máxima de fuente de puerta es de 30 V, por lo que los controladores de puerta y la protección deben evitar excursiones por encima de este valor.