MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 911-4824
Referência do fabricante:: SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 911-4824
Referência do fabricante:: SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	SIPMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	300mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	42W
	Tensión directa Vf	-1.55V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	10nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	6.22 mm
	Altura	2.3mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TO-252
	Serie SIPMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 42W
	Tensión directa Vf -1.55V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 6.22 mm
	Altura 2.3mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET Infineon de la serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 8,8 A, disipación de potencia máxima de 42 W - SPD08P06PGBTMA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación y control eficientes. Puede manejar corrientes de drenaje continuas de 8,8 A y una tensión de drenaje-fuente de 60 V, adecuadas para diversos circuitos electrónicos. El dispositivo funciona eficazmente en una amplia gama de temperaturas, lo que mejora su rendimiento en entornos difíciles.

Características y ventajas

• El modo de funcionamiento mejorado garantiza una conmutación eficaz

• Alta capacidad de potencia para aplicaciones electrónicas potentes

• La baja Rds(on) minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento

• Utiliza el encapsulado DPAK para aplicaciones eficaces de montaje en superficie

Aplicaciones

• Aplicable en controles electrónicos de automoción de alta fiabilidad

• Ideal para sistemas de gestión de energía en equipos industriales

• Adecuado para sistemas de gestión de baterías en vehículos eléctricos

• Utilizado en la tecnología de inversores para sistemas de energías renovables

• Se utiliza en dispositivos electrónicos de conmutación para productos de consumo

¿Qué implicaciones tiene utilizar una configuración de canal P?

Las configuraciones de canal P facilitan la integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, proporcionando un cómodo control dentro de los circuitos.

¿Cómo afecta el rendimiento térmico a la longevidad?

La capacidad de funcionar hasta a +175 °C aumenta la fiabilidad y contribuye a prolongar la vida útil en entornos difíciles.

¿Qué importancia tiene la cualificación AEC-Q101?

Esta calificación confirma su idoneidad para aplicaciones de automoción, cumpliendo estrictas normas de fiabilidad y seguridad.

¿Se puede utilizar junto con otros MOSFET?

Sí, puede integrarse con otros componentes para crear circuitos complementarios para aplicaciones eficaces de conmutación múltiple.

¿Qué factores influyen en la disipación de potencia de este dispositivo?

Los factores clave son la temperatura ambiente, la corriente de drenaje y el ciclo de trabajo durante el funcionamiento, que afectan al rendimiento térmico global.