MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2330
Referência do fabricante:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 892-2330
Referência do fabricante:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP039N04L G, IPB039N04L G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	59 nC a 10 V
Ancho	4.572mm
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V