MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
215-2547
Referência do fabricante:
IPP80N06S407AKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie OptiMOS® -T2 de transistores de potencia de Infineon tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V con encapsulado TO-220. Es de canal N con una resistencia máxima de fuente de drenaje de 7,1 mΩ.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

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