MOSFET, N-Canal Infineon IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-9083
Referência do fabricante:
IPP052N08N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.45mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y IRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101. Estos MOSFET de potencia de última generación están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones.

Calificación conforme a JEDEC1 para aplicaciones de destino

100 % a prueba de avalancha

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