MOSFET Infineon IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-8658
Referência do fabricante:: IPP057N08N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 145-8658
Referência do fabricante:: IPP057N08N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP057N08N3G, IPI057N08N3G, IPB054N08N3G OptiMOS 3 Power Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	52 nC a 10 V
Ancho	4.57mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V