MOSFET Infineon, N-Canal IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 892-2292
- Referência do fabricante:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 892-2292
- Referência do fabricante:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Altura | 15.95mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 10.36mm | ||
Anchura 4.57mm | ||
Altura 15.95mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOSTM están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para abordar las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones informáticas.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino
canal N, nivel lógico
Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)
Resistencia de conexión muy baja R DS(on)
Revestimiento sin Pb
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.
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