MOSFET Infineon IPP034NE7N3GXKSA1, VDSS 75 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 857-6833
- Referência do fabricante:
- IPP034NE7N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 857-6833
- Referência do fabricante:
- IPP034NE7N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 75 V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,4 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 214 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 88 nC a 10 V | |
| Ancho | 4.57mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 15.95mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 100 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 75 V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3,4 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3.8V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 214 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 88 nC a 10 V | ||
Ancho 4.57mm | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 15.95mm | ||
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MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
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Transistores MOSFET, Infineon
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