MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPP126N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 58 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
145-8715
Referência do fabricante:
IPP126N10N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS™ 3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20, -20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

10.36mm

Anchura

4.57mm

Altura

15.95mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 100 V y superiores


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.

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