MOSFET Infineon SPP11N60S5HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
354-6379
Referência do fabricante:
SPP11N60S5HKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

125 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

8.64mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

41,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

10.26mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Serie

CoolMOS S5

Altura

4.4mm

Familia de MOSFET de potencia CoolMOS™ S5 de Infineon



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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