MOSFET Infineon, N-Canal IPP126N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 58 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
892-2273
Referência do fabricante:
IPP126N10N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

100 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

58 A

Encapsulado

TO-220

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

15.95 mm

Longitud

10.36 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

23.5 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V, -20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

94 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

OptiMOS™ 3

Anchura

4.57 mm

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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