MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPP126N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 58 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 892-2273
- Referência do fabricante:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 892-2273
- Referência do fabricante:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Altura | 15.95mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 4.57mm | ||
Altura 15.95mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 100 V y superiores
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.
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