MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines
- Código RS:
- 145-5360
- Referência do fabricante:
- FQA24N60
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 145-5360
- Referência do fabricante:
- FQA24N60
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 310W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 18.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 310W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 18.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N QFET®, de 11 A a 30 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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