MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5210LPBF, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines
- Código RS:
- 165-7567
- Referência do fabricante:
- IRF5210LPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-7567
- Referência do fabricante:
- IRF5210LPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | I2PAK (TO-262) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 10.54mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado I2PAK (TO-262) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 10.54mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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