MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLL024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
830-3300
Número do artigo Distrelec:
304-44-473
Referência do fabricante:
IRLL024NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7mm

Altura

1.739mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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