MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLL014NTRPBF, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 830-3307
- Número do artigo Distrelec:
- 304-44-472
- Referência do fabricante:
- IRLL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
13,025 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 225 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 3350 unidade(s) para enviar a partir do dia 30 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,521 € | 13,03 € |
| 125 - 225 | 0,401 € | 10,03 € |
| 250 - 600 | 0,376 € | 9,40 € |
| 625 - 1225 | 0,349 € | 8,73 € |
| 1250 + | 0,287 € | 7,18 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 830-3307
- Número do artigo Distrelec:
- 304-44-472
- Referência do fabricante:
- IRLL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Altura | 1.739mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.7mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Altura 1.739mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,8A, disipación de potencia máxima de 2,1W - IRLL014NTRPBF
Este MOSFET de Infineon, que forma parte de la familia HEXFET, está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones eléctricas y electrónicas. Como dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora, desempeña un papel vital en la gestión de energía para dispositivos que exigen una alta fiabilidad en condiciones difíciles. Se han integrado tecnologías avanzadas para gestionar eficazmente cargas eléctricas considerables manteniendo un diseño compacto.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 2,8 A para un rendimiento fiable
• Amplia gama de tensiones de hasta 55 V para diversas aplicaciones
• La baja resistencia de drenaje-fuente de 280mΩ minimiza las pérdidas de potencia
• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C
• Opciones de tensión umbral de puerta mejoradas para aumentar la capacidad de conmutación
• Diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que facilita la integración en placas de circuito impreso
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de automatización para un control eficaz de los motores
• Se emplea en circuitos de alimentación para regular eficazmente la tensión
• Apto para conmutación en dispositivos electrónicos
• Integrado en sistemas de gestión de baterías para optimizar el uso de la energía
• Aplicable en controladores LED para mejorar la eficacia del control
¿Cuál es la técnica de montaje recomendada para un rendimiento óptimo?
La utilización de técnicas de montaje en superficie garantiza un mejor rendimiento térmico y una mayor eficiencia de espacio en las placas de circuitos impresos.
¿Cómo debe tenerse en cuenta la tensión máxima puerta-fuente al diseñar circuitos?
Es importante mantener la tensión puerta-fuente dentro de los límites especificados de -16V a +16V para garantizar la integridad y el rendimiento del dispositivo.
¿Puede este componente soportar altas temperaturas en entornos operativos?
Está preparado para funcionar en entornos de hasta +150 °C, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta temperatura.
¿Es compatible con los sistemas de baterías de bajo voltaje?
Sí, puede gestionar aplicaciones de baja tensión al tiempo que proporciona un control de potencia y una eficiencia de conmutación eficaces.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFL024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP25DP06LMSATMA1, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP12DP06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines