MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 911-4820
- Referência do fabricante:
- BSP603S2LHUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-4820
- Referência do fabricante:
- BSP603S2LHUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 3.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
MOSFET de la serie OptiMOS™ de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP603S2LHUMA1
Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones eléctricas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, ofrece sólidas capacidades para la gestión y el control de la alimentación, lo que lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automoción y la electrónica.
Características y ventajas
• El bajo RDS(on) minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• La tensión umbral de puerta máxima mejora la eficiencia de la conmutación
• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso compactas
• Cualificado por la AEC para cumplir las estrictas normas de automoción
• Funcionamiento a altas temperaturas, hasta +150°C para una mayor durabilidad
Aplicaciones
• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Adecuado para convertidores CC-CC de vehículos eléctricos
• Utilizado en el control de motores para robótica y automatización
• Interruptor de carga en electrónica de consumo
¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?
La carga de puerta típica es de 31nC, optimizando el rendimiento de conmutación a 10V.
¿Es adecuado para aplicaciones en entornos de altas temperaturas?
Sí, funciona de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, ideal para condiciones difíciles.
¿Cómo gestiona este componente cargas de corriente importantes?
Con una corriente de drenaje continua máxima de 5.2 A, gestiona eficazmente cargas elevadas manteniendo el rendimiento.
¿Puede este MOSFET reducir eficazmente las pérdidas de energía?
Sí, la característica de bajo RDS(on) minimiza la resistencia en estado encendido, ayudando a reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.
¿Cumple este producto las normas medioambientales?
Sí, es conforme a la directiva RoHS, lo que garantiza que cumple las normas de seguridad medioambiental para componentes electrónicos.
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