MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 911-4820
Referência do fabricante:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:: 911-4820
Referência do fabricante:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	33mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Tensión directa Vf	1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.5mm
	Altura	1.6mm
	Anchura	3.5mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado SOT-223
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Tensión directa Vf 1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.5mm
	Altura 1.6mm
	Anchura 3.5mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q

MOSFET de la serie OptiMOS™ de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP603S2LHUMA1

Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones eléctricas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, ofrece sólidas capacidades para la gestión y el control de la alimentación, lo que lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automoción y la electrónica.

Características y ventajas

• El bajo RDS(on) minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• La tensión umbral de puerta máxima mejora la eficiencia de la conmutación

• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso compactas

• Cualificado por la AEC para cumplir las estrictas normas de automoción

• Funcionamiento a altas temperaturas, hasta +150°C para una mayor durabilidad

Aplicaciones

• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Adecuado para convertidores CC-CC de vehículos eléctricos

• Utilizado en el control de motores para robótica y automatización

• Interruptor de carga en electrónica de consumo

¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?

La carga de puerta típica es de 31nC, optimizando el rendimiento de conmutación a 10V.

¿Es adecuado para aplicaciones en entornos de altas temperaturas?

Sí, funciona de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, ideal para condiciones difíciles.

¿Cómo gestiona este componente cargas de corriente importantes?

Con una corriente de drenaje continua máxima de 5.2 A, gestiona eficazmente cargas elevadas manteniendo el rendimiento.

¿Puede este MOSFET reducir eficazmente las pérdidas de energía?

Sí, la característica de bajo RDS(on) minimiza la resistencia en estado encendido, ayudando a reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.

¿Cumple este producto las normas medioambientales?

Sí, es conforme a la directiva RoHS, lo que garantiza que cumple las normas de seguridad medioambiental para componentes electrónicos.