MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 262-6765
- Referência do fabricante:
- IRFL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
500,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,20 € | 500,00 € |
| 5000 + | 0,192 € | 480,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 262-6765
- Referência do fabricante:
- IRFL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.075Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.075Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este diseño tiene características adicionales como temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada.
Resistencia de conexión ultrabaja
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP603S2LHUMA1, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFL024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLL2705TRPBF, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines