MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP125H6327XTSA1, VDSS 600 V, ID 120 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*

26,45 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
50 +0,529 €26,45 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
826-9276
Número do artigo Distrelec:
304-44-411
Referência do fabricante:
BSP125H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.5mm

Anchura

3.5 mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados