MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (3000 unidades, em rolo de 3000)*

624,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 - 30000,208 €624,00 €
6000 +0,197 €591,00 €

*preço indicativo

Código RS:
217-2544
Referência do fabricante:
IPN70R1K4P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

6.2W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie IPN de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 700 V, corriente de drenaje continua máxima de 4 A - IPN70R1K4P7SATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en entornos térmicos industriales. Está diseñado para controlar la potencia en circuitos que requieren un transistor de modo de mejora capaz de manejar tensiones elevadas de drenaje a fuente y corriente continua al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:


• La clasificación de drenaje a fuente de 700 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 4 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 1.4 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 6.2 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La tolerancia de puerta de 30 V proporciona un margen de accionamiento de puerta robusto
• La carga de puerta típica de 4.7 nC minimiza la energía de conmutación

Aplicaciones


• Apto para circuitos de conmutación de alta tensión en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de accionamiento de motor de potencia media con montaje en superficie
• Se utiliza para elementos de conmutación de convertidor de retorno y impulso
• Puede utilizarse para conmutar cargas controladas en equipos industriales
• Apto para circuitos que requieren un funcionamiento en un amplio rango de temperaturas

¿Qué temperaturas extremas puede soportar en funcionamiento?


Funciona de manera fiable entre –40 y 150 °C.

¿Cuántos contactos de conexión están disponibles para consideraciones de diseño?


El dispositivo se suministra con tres terminales eléctricos para montaje en PCB.

¿Qué tipo de encapsulado debe especificarse para el montaje en superficie?


Utiliza un encapsulado SOT-223 adecuado para procesos de soldadura de montaje en superficie.

¿Cuál es la caída hacia delante típica si el diodo integrado conduce?


El dispositivo presenta una tensión directa de 0,9 V cuando el diodo intrínseco conduce.

¿Cómo afecta la carga de puerta al rendimiento de conmutación?


Una carga de puerta típica de 4,7 nC limita la energía de accionamiento de puerta y influye en la velocidad de conmutación y las pérdidas.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.