MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2547
- Referência do fabricante:
- IPN70R450P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
747,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 17 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,249 € | 747,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2547
- Referência do fabricante:
- IPN70R450P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.2W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.2W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.7mm | ||
Anchura 3.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.
Pérdidas extremadamente bajas debido a UN BAJO VALOR DE FOMR DS(on)*QG and RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IPN70R450P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPN80R2K0P7ATMA1, VDSS 700 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines