MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 219-5996
Referência do fabricante:: IPN80R4K5P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:: 219-5996
Referência do fabricante:: IPN80R4K5P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	800V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	CoolMOS P7
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	450mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	6W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.7mm
	Longitud	6.7mm
	Altura	1.8mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V
	Encapsulado SOT-223
	Serie CoolMOS P7
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 6W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.7mm
	Longitud 6.7mm
	Altura 1.8mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

MOSFET CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - IPN80R4K5P7ATMA1

Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para tareas de control y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona de manera fiable en un amplio rango ambiente y está diseñado para su uso donde se requiere un bloqueo de tensión robusto y una capacidad de corriente continua moderada.

Características y ventajas:

• El valor nominal de drenaje-fuente de 800 V permite aplicaciones de alta tensión
• La RDS(on) de 450 mΩ limita las pérdidas por conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 4 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La corriente de drenaje continua de 1.5 A admite cargas de estado estable
• La disipación de potencia máxima de 6 W gestiona el estrés térmico durante el funcionamiento
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación fuera de línea que manejan altas tensiones
• Ideal para convertidores de impulso en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de potencia de modo conmutado con corrientes moderadas
• Se puede utilizar para dispositivos de prueba de semiconductores que requieren 800 V
• Se utiliza con conjuntos de montaje en superficie en placas de alimentación compactas

¿A qué temperaturas ambiente puede funcionar?

Funciona en un amplio rango de temperaturas de −55 °C a 150 °C, lo que proporciona idoneidad para entornos térmicos severos.

¿Cómo influye el encapsulado en el rendimiento térmico?

El encapsulado de montaje en superficie SOT‐223 ofrece un tamaño reducido al tiempo que permite una disipación de calor compatible con una disipación de potencia máxima de 6 W cuando se monta correctamente.

¿Qué consideraciones se requieren para el accionamiento de puerta?

El dispositivo acepta hasta ±20 V entre la puerta y la fuente y suele necesitar energía de accionamiento correspondiente a una carga de puerta total de 4 nC para una conmutación rápida.

¿Qué topología de conmutación se beneficia más de sus características?

El funcionamiento de mejora de canal N de alta tensión lo convierte en adecuado para topologías que requieren bloqueo de 800 V con manejo de corriente continua moderada.