MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5418DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 818-1318
- Referência do fabricante:
- SI5418DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
14,66 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,733 € | 14,66 € |
| 100 - 180 | 0,718 € | 14,36 € |
| 200 - 480 | 0,586 € | 11,72 € |
| 500 - 980 | 0,572 € | 11,44 € |
| 1000 + | 0,462 € | 9,24 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 818-1318
- Referência do fabricante:
- SI5418DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | ChipFET PowerPAK | |
| Serie | Si5418DU | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.85mm | |
| Anchura | 1.98 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.08mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado ChipFET PowerPAK | ||
Serie Si5418DU | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.85mm | ||
Anchura 1.98 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.08mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET Vishay SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK ChipFET
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI5419DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.9 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 9.9 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5442DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5448DU-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5936DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines