MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI5419DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.9 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
818-1312
Referência do fabricante:
SI5419DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

ChipFET PowerPAK

Serie

Si5419DU

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.85V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

31W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.98 mm

Longitud

3.08mm

Altura

0.85mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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