MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

10,94 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 14 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 - 1800,547 €10,94 €
200 - 4800,405 €8,10 €
500 - 9800,339 €6,78 €
1000 - 19800,301 €6,02 €
2000 +0,219 €4,38 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
812-3110
Referência do fabricante:
SI2323DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2323DDS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión directa Vf

-0.79V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4mm

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.