MOSFET Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3110
Referência do fabricante:: SI2323DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 20)

0,154 €

Unidades	Por unidade	Por Pack*
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Código RS:: 812-3110
Referência do fabricante:: SI2323DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si2323DDS, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	24 nC a 8 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.4mm
Longitud	3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor