Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2399DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7829
Referência do fabricante:: SI2399DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2399DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 180-7829
Referência do fabricante:: SI2399DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	67mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.6W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	10nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.6W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 12V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,5W mW y una corriente de drenaje continua de 6A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 2,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• convertidores dc/dc

• Interruptor de carga

• Interruptor PA

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado