MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2813
- Referência do fabricante:
- Si2387DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
372,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,124 € | 372,00 € |
| 6000 + | 0,117 € | 351,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2813
- Referência do fabricante:
- Si2387DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal P de generación IV TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de carga, protección de circuitos y control de accionamiento de motor.
100 % Rg y UIS probados
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si2387DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 2.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 2.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 8 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 7.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines